Vishay Siliconix SIHP17N80AE-GE3

SIHP17N80AE-GE3
Teile-Nr.:
SIHP17N80AE-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Paket:
TO-220AB
Datenblatt:
SIHP17N80AE-GE3.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
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Produktdetails

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Packaging:
Tube
Series:
E
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
15A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
62 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
1260 pF @ 100 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
179W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Datenblatt:
GermanSIHP17N80AE-GE3.pdf

1. Wie bestellt man SIHP17N80AE-GE3 bei Valley Electronics(HK) Limited?

Derzeit bietet Valley Electronics(HK) Limited nur eine Peer-to-Peer-Bestellabwicklung an. Nachdem Sie die RFQ eingereicht haben, wird sich unser professioneller Agent mit Ihnen in Verbindung setzen, um Ihnen wettbewerbsfähige Preise auf dem globalen Markt anzubieten. Wenn Sie unser Angebot akzeptieren, wird unser Agent Sie bei der Bestellung unterstützen.

2. Wie garantiert Valley Electronics(HK) Limited, dass SIHP17N80AE-GE3 vom Originalhersteller oder autorisierten Händlern stammt?

Wir haben ein professionelles und erfahrenes Qualitätskontrollteam, das die SIHP17N80AE-GE3 Produkte streng überprüft und testet. Alle Lieferanten müssen unsere Qualifikationsprüfungen bestehen, bevor sie ihre Produkte, einschließlich SIHP17N80AE-GE3, auf Valley Electronics(HK) Limited anbieten können. Wir legen besonderen Wert auf die Herkunft und Qualität der SIHP17N80AE-GE3 Produkte, sodass Sie mit Vertrauen bei uns einkaufen können.

3. Sind die angezeigten Preise und Lagerbestände von SIHP17N80AE-GE3 korrekt?

Die Preise und Lagerbestände von SIHP17N80AE-GE3 ändern sich häufig und können nicht in Echtzeit aktualisiert werden. Sie werden jedoch innerhalb von 24 Stunden periodisch aktualisiert. Unsere Angebote sind in der Regel 5 Tage gültig.

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6. Wie läuft die Rückgabe oder der Austausch von SIHP17N80AE-GE3?

Alle Waren werden vor dem Versand einer Pre-Shipment-Inspektion (PSI) unterzogen, bei der stichprobenartig Produkte aus Ihrer Bestellung systematisch überprüft werden. Wenn mit dem gelieferten SIHP17N80AE-GE3 etwas nicht in Ordnung ist, akzeptieren wir die Rückgabe oder den Austausch nur unter den folgenden Bedingungen:

(1) Probleme wie Mengenmangel, falsche Artikel oder offensichtliche äußere Mängel (Bruch, Rost usw.), die wir anerkennen.

(2) Wir werden innerhalb von 90 Tagen nach Lieferung von SIHP17N80AE-GE3 über den beschriebenen Mangel informiert.

(3) Die Artikelnummer ist unbenutzt und befindet sich nur in der originalen ungeöffneten Verpackung.

Prozess zur Rückgabe der Produkte:

(1) Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen.

(2) Beantragen Sie eine Rücksendeautorisierung.

7.Wie können wir kontaktiert werden, um technische Unterstützung zu erhalten, z. B. SIHP17N80AE-GE3 Pin-Diagramm oder SIHP17N80AE-GE3 Datenblatt?

Wenn Sie einen Kundendienst benötigen, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.

Bild SIHP17N80AE-GE3 SIHP240N60E-GE3 SIHA6N65E-GE3 SIHA14N60E-GE3 SIHP5N80AE-GE3
Teilenummer SIHP17N80AE-GE3 SIHP240N60E-GE3 SIHA6N65E-GE3 SIHA14N60E-GE3 SIHP5N80AE-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series E E E E E
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 800 V 800 V 800 V 800 V 800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 290mOhm @ 8.5A, 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 62 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V ±30V ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1260 pF @ 100 V 1260 pF @ 100 V 1260 pF @ 100 V 1260 pF @ 100 V 1260 pF @ 100 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 179W (Tc) 179W (Tc) 179W (Tc) 179W (Tc) 179W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

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