Vishay Siliconix SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3
Teile-Nr.:
SIHG80N60E-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Paket:
TO-247AC
Datenblatt:
GermanSIHG80N60E-GE3.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Quantity:
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Produktdetails

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Packaging:
Tube
Series:
E
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
80A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
30mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
443 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
6900 pF @ 100 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
520W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Datenblatt:
GermanSIHG80N60E-GE3.pdf

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