NXP USA Inc. PDTB143EQA147

PDTB143EQA147
Teile-Nr.:
PDTB143EQA147
Hersteller:
NXP USA Inc.
Kategorie:
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
Paket:
3-XDFN Exposed Pad
Datenblatt:
GermanPDTB143EQA147.pdf
Beschreibung:
PDTB143EQA SMALL SIGNAL FET
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Packaging:
Bulk
Series:
PDTB143
ProductStatus:
Active
TransistorType:
PNP - Pre-Biased
Current-Collector(Ic)(Max):
500 mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):
50 V
Resistor-Base(R1):
4.7 kOhms
Resistor-EmitterBase(R2):
4.7 kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce:
60 @ 50mA, 5V
VceSaturation(Max)@IbIc:
100mV @ 2.5mA, 50mA
Current-CollectorCutoff(Max):
500nA
Frequency-Transition:
150 MHz
Power-Max:
325 mW
MountingType:
Surface Mount
Kategorie:
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
Datenblatt:
GermanPDTB143EQA147.pdf

1. Wie bestellt man PDTB143EQA147 bei Valley Electronics(HK) Limited?

Derzeit bietet Valley Electronics(HK) Limited nur eine Peer-to-Peer-Bestellabwicklung an. Nachdem Sie die RFQ eingereicht haben, wird sich unser professioneller Agent mit Ihnen in Verbindung setzen, um Ihnen wettbewerbsfähige Preise auf dem globalen Markt anzubieten. Wenn Sie unser Angebot akzeptieren, wird unser Agent Sie bei der Bestellung unterstützen.

2. Wie garantiert Valley Electronics(HK) Limited, dass PDTB143EQA147 vom Originalhersteller oder autorisierten Händlern stammt?

Wir haben ein professionelles und erfahrenes Qualitätskontrollteam, das die PDTB143EQA147 Produkte streng überprüft und testet. Alle Lieferanten müssen unsere Qualifikationsprüfungen bestehen, bevor sie ihre Produkte, einschließlich PDTB143EQA147, auf Valley Electronics(HK) Limited anbieten können. Wir legen besonderen Wert auf die Herkunft und Qualität der PDTB143EQA147 Produkte, sodass Sie mit Vertrauen bei uns einkaufen können.

3. Sind die angezeigten Preise und Lagerbestände von PDTB143EQA147 korrekt?

Die Preise und Lagerbestände von PDTB143EQA147 ändern sich häufig und können nicht in Echtzeit aktualisiert werden. Sie werden jedoch innerhalb von 24 Stunden periodisch aktualisiert. Unsere Angebote sind in der Regel 5 Tage gültig.

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6. Wie läuft die Rückgabe oder der Austausch von PDTB143EQA147?

Alle Waren werden vor dem Versand einer Pre-Shipment-Inspektion (PSI) unterzogen, bei der stichprobenartig Produkte aus Ihrer Bestellung systematisch überprüft werden. Wenn mit dem gelieferten PDTB143EQA147 etwas nicht in Ordnung ist, akzeptieren wir die Rückgabe oder den Austausch nur unter den folgenden Bedingungen:

(1) Probleme wie Mengenmangel, falsche Artikel oder offensichtliche äußere Mängel (Bruch, Rost usw.), die wir anerkennen.

(2) Wir werden innerhalb von 90 Tagen nach Lieferung von PDTB143EQA147 über den beschriebenen Mangel informiert.

(3) Die Artikelnummer ist unbenutzt und befindet sich nur in der originalen ungeöffneten Verpackung.

Prozess zur Rückgabe der Produkte:

(1) Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen.

(2) Beantragen Sie eine Rücksendeautorisierung.

7.Wie können wir kontaktiert werden, um technische Unterstützung zu erhalten, z. B. PDTB143EQA147 Pin-Diagramm oder PDTB143EQA147 Datenblatt?

Wenn Sie einen Kundendienst benötigen, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.

Bild PDTB143EQA147
Teilenummer PDTB143EQA147
Hersteller NXP USA Inc.
Packaging Bulk
Series PDTB143
ProductStatus Active
TransistorType PNP - Pre-Biased
Current-Collector(Ic)(Max) 500 mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 50 V
Resistor-Base(R1) 4.7 kOhms
Resistor-EmitterBase(R2) 4.7 kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 60 @ 50mA, 5V
VceSaturation(Max)@IbIc 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current-CollectorCutoff(Max) 500nA
Frequency-Transition 150 MHz
Power-Max 325 mW
MountingType Surface Mount

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