IXYS IXTY1R4N60P

IXTY1R4N60P
Teile-Nr.:
IXTY1R4N60P
Hersteller:
IXYS
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Paket:
TO-252AA
Datenblatt:
GermanIXTY1R4N60P.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
Quantity:
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Produktdetails

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Packaging:
Tube
Series:
PolarHV™
ProductStatus:
Obsolete
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
1.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
5.5V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
5.2 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
140 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
50W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Datenblatt:
GermanIXTY1R4N60P.pdf

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