Diodes Incorporated DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B
Teile-Nr.:
DMN2990UFO-7B
Hersteller:
Diodes Incorporated
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Paket:
X2-DFN0604-3
Datenblatt:
GermanDMN2990UFO-7B.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Quantity:
Zahlung:
Payment
Versand:
Shipping

Produktdetails

  • Technische
  • FAQ
  • Vergleich
  • Verwandte
Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
750mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
1.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs:
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id:
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
0.41 nC @ 4.5 V
Vgs(Max):
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
31 pF @ 15 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
840mW (Ta)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Datenblatt:
GermanDMN2990UFO-7B.pdf

DMN2990UFO-7B Relevante Informationen

  • Teile einschließen
  • Beliebte Suche

Die folgenden Teile enthalten ,DMN2990UFO-7B“ in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc“DMN2990UFO-7B“.

  • Teilenummer
  • Hersteller
  • Paket
  • Beschreibung

Auf Lager:10,000

Bitte senden Sie eine Anfrage.Wir werden umgehend antworten.

Teilenummer
Menge
Preis
Name
Unternehmen
E-Mail
Kommentare
STF18N65M2
STF18N65M2

STMicroelectronics

TK65A10N1,S4X
TK65A10N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

SIHP17N80AE-GE3
SIHP17N80AE-GE3

Vishay Siliconix

FCPF9N60NT
FCPF9N60NT

onsemi

SIHP18N50C-E3
SIHP18N50C-E3

Vishay Siliconix

STP24N60M6
STP24N60M6

STMicroelectronics

STP18N65M2
STP18N65M2

STMicroelectronics

IRFIBE20GPBF
IRFIBE20GPBF

Vishay Siliconix

SIHP240N60E-GE3
SIHP240N60E-GE3

Vishay Siliconix

STF12N65M5
STF12N65M5

STMicroelectronics

HEIM

HEIM

PRODUKT

PRODUKT

TELEFON

TELEFON

BENUTZER

BENUTZER

Tippsχ