NXP USA Inc. BUK9E3R2-40B,127

BUK9E3R2-40B,127
Teile-Nr.:
BUK9E3R2-40B,127
Hersteller:
NXP USA Inc.
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Paket:
I2PAK
Datenblatt:
BUK9E3R2-40B,127.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
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Produktdetails

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Packaging:
Tube,Tube
Series:
TrenchMOS™
ProductStatus:
Obsolete
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
2V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
94 nC @ 5 V
Vgs(Max):
±15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
10502 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
300W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Kategorie:
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Datenblatt:
GermanBUK9E3R2-40B,127.pdf

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