Nexperia USA Inc. PMEG3001EEFZ

PMEG3001EEFZ
Teile-Nr.:
PMEG3001EEFZ
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
Dioden-Gleichrichter-Single
Paket:
0201 (0603 Metric)
Datenblatt:
GermanPMEG3001EEFZ.pdf
Beschreibung:
PMEG3001EEF/SOD972/DFN0603
Quantity:
Zahlung:
Payment
Versand:
Shipping

Produktdetails

  • Technische
  • FAQ
  • Vergleich
  • Verwandte
Packaging:
Tape & Reel (TR)
Series:
RoHS:
RoHS
Speed:
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Diode Type:
Schottky
Part Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Capacitance @ Vr, F:
4pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr):
1.5 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr:
300 nA @ 10 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
30 V
Current - Average Rectified (Io):
100mA
Operating Temperature:
150°C (Max)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
460 mV @ 10 mA
Kategorie:
Dioden-Gleichrichter-Single
Datenblatt:
GermanPMEG3001EEFZ.pdf

PMEG3001EEFZ Relevante Informationen

  • Teile einschließen
  • Beliebte Suche

Die folgenden Teile enthalten ,PMEG3001EEFZ“ in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc“PMEG3001EEFZ“.

  • Teilenummer
  • Hersteller
  • Paket
  • Beschreibung

Auf Lager:3,530

Bitte senden Sie eine Anfrage.Wir werden umgehend antworten.

Teilenummer
Menge
Preis
Name
Unternehmen
E-Mail
Kommentare
VS-STPS20L15GR-M3
VS-STPS20L15GR-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V10PM10-M3/I
V10PM10-M3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

SF2004PT C0G
SF2004PT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

HSM825GE3/TR13
HSM825GE3/TR13

Microchip Technology

HSM5100GE3/TR13
HSM5100GE3/TR13

Microchip Technology

V8P45-M3/87A
V8P45-M3/87A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-10ETS12S-M3
VS-10ETS12S-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V8PM10HM3/H
V8PM10HM3/H

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

PDS4200H-13
PDS4200H-13

Diodes Incorporated

HSM830GE3/TR13
HSM830GE3/TR13

Microchip Technology

HEIM

HEIM

PRODUKT

PRODUKT

TELEFON

TELEFON

BENUTZER

BENUTZER

Tippsχ