onsemi MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G
Teile-Nr.:
MUN5212DW1T1G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
Transistoren-Bipolar (BJT-Arrays, Vorverzerrung)
Paket:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt:
GermanMUN5212DW1T1G.pdf
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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Produktdetails

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Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
-
ProductStatus:
Active
TransistorType:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current-Collector(Ic)(Max):
100mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):
50V
Resistor-Base(R1):
22kOhms
Resistor-EmitterBase(R2):
22kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce:
60 @ 5mA, 10V
VceSaturation(Max)@IbIc:
250mV @ 300µA, 10mA
Current-CollectorCutoff(Max):
500nA
Frequency-Transition:
-
Power-Max:
250mW
MountingType:
Surface Mount
Kategorie:
Transistoren-Bipolar (BJT-Arrays, Vorverzerrung)
Datenblatt:
GermanMUN5212DW1T1G.pdf

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