onsemi HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST
Teile-Nr.:
HGT1S10N120BNST
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
Transistoren von IGBTs
Paket:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt:
GermanHGT1S10N120BNST.pdf
Beschreibung:
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
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Produktdetails

  • Technische
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  • Vergleich
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Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
-
ProductStatus:
Active
IGBTType:
NPT
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):
1200 V
Current-Collector(Ic)(Max):
35 A
Current-CollectorPulsed(Icm):
80 A
Vce(on)(Max)@VgeIc:
2.7V @ 15V, 10A
Power-Max:
298 W
SwitchingEnergy:
320µJ (on), 800µJ (off)
InputType:
Standard
GateCharge:
100 nC
Td(on/off)@25°C:
23ns/165ns
TestCondition:
960V, 10A, 10Ohm, 15V
ReverseRecoveryTime(trr):
-
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Kategorie:
Transistoren von IGBTs
Datenblatt:
GermanHGT1S10N120BNST.pdf

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