Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL RVG

ES1JL RVG
Teile-Nr.:
ES1JL RVG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Kategorie:
Dioden-Gleichrichter-Single
Paket:
DO-219AB
Datenblatt:
GermanES1JL RVG.pdf
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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Produktdetails

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  • Vergleich
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Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
RoHS:
RoHS
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type:
Standard
Part Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Capacitance @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr):
35 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
600 V
Current - Average Rectified (Io):
1A
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.7 V @ 1 A
Kategorie:
Dioden-Gleichrichter-Single
Datenblatt:
GermanES1JL RVG.pdf

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