Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B62-E3-08

BZT52B62-E3-08
Teile-Nr.:
BZT52B62-E3-08
Hersteller:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Kategorie:
Dioden.Zener
Paket:
SOD-123
Datenblatt:
GermanBZT52B62-E3-08.pdf
Beschreibung:
DIODE ZENER 62V 410MW SOD123
Quantity:
Zahlung:
Payment
Versand:
Shipping

Produktdetails

  • Technische
  • FAQ
  • Vergleich
  • Verwandte
Packaging:
Tape & Reel (TR)
Series:
BZT52
RoHS:
RoHS
Tolerance:
±2%
Part Status:
Active
Power - Max:
410 mW
Mounting Type:
Surface Mount
Package / Case:
150 Ohms
Impedance (Max) (Zzt):
-55°C ~ 150°C
Operating Temperature:
62 V
Supplier Device Package:
-
Voltage - Zener (Nom) (Vz):
-
Current - Reverse Leakage @ Vr:
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
Kategorie:
Dioden.Zener
Datenblatt:
GermanBZT52B62-E3-08.pdf

BZT52B62-E3-08 Relevante Informationen

  • Teile einschließen
  • Beliebte Suche

Die folgenden Teile enthalten ,BZT52B62-E3-08“ in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc“BZT52B62-E3-08“.

  • Teilenummer
  • Hersteller
  • Paket
  • Beschreibung

Auf Lager:3,948

Bitte senden Sie eine Anfrage.Wir werden umgehend antworten.

Teilenummer
Menge
Preis
Name
Unternehmen
E-Mail
Kommentare
BZX55C5V6-TAP
BZX55C5V6-TAP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZX55C33-TR
BZX55C33-TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZX55C5V1-TR
BZX55C5V1-TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZX55C3V3-TAP
BZX55C3V3-TAP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZX55C8V2-TAP
BZX55C8V2-TAP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

TZX6V2B-TAP
TZX6V2B-TAP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZX55C18-TR
BZX55C18-TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZX55C12-TR
BZX55C12-TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZX55C10-TR
BZX55C10-TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

TZX4V7C-TR
TZX4V7C-TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

HEIM

HEIM

PRODUKT

PRODUKT

TELEFON

TELEFON

BENUTZER

BENUTZER

Tippsχ